特許

J-GLOBAL ID：200903025956278897

レーザーによるSiC結晶膜の形成法

発明者： 遠山 尚武 ,  福村 龍二
出願人/特許権者： 九州工業大学長 ,  三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-243817
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050261
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】SiCの単結晶薄膜を低温で成長させることが可能で、格子欠陥や界面不整合を起こしにくく、かつバッファ層を基板上に生成させる工程の不要な、SiC単結晶薄膜の製造方法を提供すること。【構成】炭素源及びシリコン源となる原料ガスを含有する材料ガスを、基板上に送り、該基板上において該原料ガスを分解させ、該基板上にSiCの薄膜を成長させる方法において、該基板の温度が、20〜800°Cであり、該原料ガスの分解をレーザー光で行い、かつ該レーザー光が該基板を照射することを特徴とするSiC単結晶薄膜の製造方法、より詳しくは該レーザー光が、該基板に対し、45〜90°の角度で該基板を照射する前記SiC単結晶薄膜の製造方法。【効果】本発明の製造方法により、SiCの単結晶薄膜を低温で成長させることが可能で、格子欠陥や界面不整合を起こしにくく、かつバッファ層を基板上に生成させる工程の不要な、SiC単結晶薄膜を容易に提供することができる

請求項（抜粋）：

炭素源及びシリコン源となる原料ガスを含有する材料ガスを、基板上に送り、該基板上において該原料ガスを分解させ、該基板上にSiCの薄膜を成長させる方法において、該基板の温度が、20〜800°Cであり、該原料ガスの分解をレーザー光で行い、かつ該レーザー光が該基板を照射することを特徴とするSiC単結晶薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/36

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-031109
  
• 単結晶炭化珪素の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-089994   出願人：テイーデイーケイ株式会社