特許

J-GLOBAL ID：200903025956400714

半導体装置及びその製造方法

発明者： 堀 敦 ,  瀬川 瑞樹 ,  下村 浩 ,  亀山 周一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-180871
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198804
出願日： 1992年07月08日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 ソース、ドレインの容量を増大させることなく、高耐圧と高駆動力を両立し、反転電圧を容易に制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極4の側壁に残置された絶縁膜5a,5bを除去しセルフアラインでソース、ドレインの端部にのみ注入することにより、P+型半導体層10a,10bはソース、ドレイン6a,6bのチャネル側にのみ選択的に注入される。P+型半導体層10a,10bによりソース、ドレインのパンチスルーを抑え、反転電圧を制御するのでP型基板1の濃度を低く設定でき、ドレイン容量を増大させることなく素子の微細化を計ることができる。また、チャネル領域の不純物濃度が不均一になるのでトランジスタの駆動力が上がる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板に形成された第2導電型のソース、及びドレイン領域と、前記ソース領域とドレイン領域の間の前記ゲート電極直下に形成されたチャネル領域と、前記ソース、及びドレイン領域に隣接し、前記チャネル領域の一部に形成された第1導電型のパンチスルーストッパ領域とを備えた半導体装置。