特許
J-GLOBAL ID：200903025962705632
シリコン膜形成方法およびインクジェット用インク組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000001987
公開番号（公開出願番号）：WO2000-059014
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月05日
要約：
【要約】シリコン前駆体を含有するインク組成物(11)をインクジェットヘッド(12)により基板上の所定領域に選択的に吐出し、シリコン前駆体のパターンを形成した後、熱及び/または光処理を施し、該シリコン前駆体をアモルファス状のシリコン膜又は多結晶シリコン膜に変換する。こうして、大面積上に、省エネルギー且つ低コストでシリコン膜パターンを得る。
請求項（抜粋）：
ケイ素化合物を含有するインク組成物をインクジェット法により基板上にパターン塗布することを特徴とするシリコン膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/208 Z
, C01B 33/02
