特許

J-GLOBAL ID：200903025964295350

半導体装置及びその製造方法

発明者： 和田 環 ,  杉山 道昭 ,  増田 正親
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176425
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007271
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の実装に対する信頼性及び耐湿に対する信頼性の向上を図る。【解決手段】 表裏面のうちの表面に電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、前記半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に電気的に接続される第1リードと、前記第1リードに接合され、外部端子として用いられる第2リードとを有し、前記第1リードは前記第2リードよりも酸化速度が遅い導電性材料(例えばFe-Ni系の金属材)で形成され、前記第2リードは前記第1リードよりも柔らかい導電性材料(例えばCu系の金属材)で形成されていることを特徴とする半導体装置である。

請求項（抜粋）：

表裏面のうちの表面に電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、前記半導体チップの表面に接着固定されると共に、その表面の電極に電気的に接続される第1リードと、前記第1リードに接合され、外部端子として用いられる第2リードとを有し、前記第1リードは、前記第2リードよりも酸化速度が遅い導電性材料で形成され、前記第2リードは、前記第1リードよりも柔らかい導電性材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/50 H ,  H01L 23/28 A

Fターム (10件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  4M109EC01 ,  4M109FA01 ,  5F067AA04 ,  5F067BA06 ,  5F067BC11 ,  5F067BE10