特許
J-GLOBAL ID：200903025964789833
半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174811
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343276
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 反りの小さいエピタキシャルウェーハを得る。【構成】 シリコン単結晶棒からのスライス時、シリコンウェーハに所定の湾曲を付与する。このシリコンウェーハの凹表面に、シリコンよりイオン半径の大きい不純物を含むエピタキシャル層を成長させる。または、このシリコンウェーハの凸表面にシリコンよりイオン半径の小さい不純物を含むエピタキシャル層を成長させる。この結果、スライス時の湾曲は、エピタキシャル層の熱膨張率の差によるシリコンウェーハの反りにより相殺され、平坦に反ったシリコンウェーハを得ることができる。
請求項（抜粋）：
棒状の半導体単結晶をスライスしてウェーハを形成する際、このウェーハを椀状に湾曲して切り出し、このウェーハの凹面に、当該半導体単結晶よりもイオン半径が大きい不純物を含むエピタキシャル層を積層することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
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