特許
J-GLOBAL ID：200903025964862808

結晶成長方法

発明者：
久保 高行

久保 高行 について

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川東 文雄

川東 文雄 について

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浅野 浩

浅野 浩 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320525
公開番号（公開出願番号）：特開2002-128589
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：
【要約】【課題】 単結晶9を包囲する冷却体11を用いた回転引上げ法において、ネッキングプロセスでの無転位化率を高める。ネッキングプロセスでの結晶破断や融液からの結晶分離を防止する。【解決手段】 ネック部9aを形成する際に、ネック部9aの直胴部分の形成開始から形成終了までの平均引上げ速度を4〜10mm/分とする。ネック部9aの直胴部分の平均直径を2〜10mmとする。
請求項（抜粋）：
CZ法によって原料融液から育成される単結晶を包囲するように設けられた環状の冷却体を具備する引上げ炉を用いて結晶成長を行う際に、ネッキングプロセスにおけるネック直胴部の形成開始から形成終了までの平均引上げ速度を4〜10mm/分とし、且つ、そのネック直胴部の平均直径を2〜10mmとすることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/208 P
Fターム (14件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG20 ,  4G077EH09 ,  4G077HA12 ,  4G077PA01 ,  5F053AA13 ,  5F053AA21 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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