特許

J-GLOBAL ID：200903025974230605

発光ダイオード

発明者： 石谷 善博 ,  皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  矢野 振一郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211229
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061525
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 発光ダイオードの発光波長を短くし黄色から黄緑色の光を得ることを可能とする。【構成】 従来のGaAs基板の代わりにGaAs<SB>X</SB>P<SB>1-X</SB>(0≦X<1)基板上にAlGaInP系の結晶を成長し、高濃度ドーピングのAl<SB>Y</SB>Ga<SB>1-Y</SB>P(0≦Y≦1)により電極とコンタクトを取る。また、基板面方位を選択し、AlGaInP系結晶のEgを大きくし、発光波長を短くする。DH構造にした場合、活性層はGa<SB>0.7</SB>In<SB>0.3</SB>Pまたはこれにアルミニウムを低濃度でいれることもできる。さらに基板に格子整合したAlGaInP系結晶からInを徐々に減らしたグレーデッド層を経て単一超薄膜Al<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>P(0≦Z≦1)層またはGaP/Al<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>P超格子構造を上記AlGaP層にいれる。DBR反射膜を用いることにより外部量子効率をさらに上げることができる。【効果】 DH構造で活性層にAlをいれることなく560nm〜585nmの黄緑色から黄色の高発光効率の発光を得られる。

請求項（抜粋）：

GaAsまたはGaP基板上にGaAs<SB>1-X</SB>P<SB>X</SB>(0<X≦1)結晶の燐の組成Xを徐々に変えたグレーデッド層を介して成長した組成一定のGaAs<SB>Y</SB>P<SB>1-Y</SB>(0≦Y<1)結晶基板上に、これと格子整合するAlGaInP系半導体結晶をエピタキシャル成長し、(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)<SB>Y</SB>In<SB>1-Y</SB>P(0≦X≦0.8、0.52<Y≦0.80)をそれよりバンドギャップエネルギーEgの大きい(Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>)<SB>Y</SB>In<SB>1-Y</SB>P(0<X≦1、0.52<Y≦1)で挾んだDH構造を作ることにより得られる発光ダイオード。