特許
J-GLOBAL ID:200903025980936226

半導体光検出器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-288951
公開番号(公開出願番号):特開平6-140613
出願日: 1992年10月27日
公開日(公表日): 1994年05月20日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、赤外線からX線までの広い波長領域の光を検出できる半導体光検出器を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板(10)の裏面に形成された窪みに近赤外線から軟X線領域までの光が入射されると、この光のエネルギーによって光キャリアが励起される。光キャリアは、半導体基板(10)に形成されたpn接合部の電界に引かれて、pn接合部に電流が流れる。この電流を電気信号として取り出すことによって、入射光の検出を行うことができる。また、半導体基板(10)の裏面に形成された窪みに硬X線が入射されると、硬X線は半導体基板(10)を突き抜けて蛍光体(40)に入射される。そして、蛍光体(40)で発光した光のエネルギーによって光キャリアが励起される。光キャリアは、半導体基板(10)に形成されたpn接合部の電界に引かれて、pn接合部に電流が流れる。この電流を電気信号として取り出すことによって、入射光の検出を行うことができる。
請求項(抜粋):
半導体基板と、前記半導体基板の表層部に形成されたpn接合部と、前記pn接合部を覆うように前記半導体基板の表面に形成された蛍光体とを備え、前記半導体基板の裏面には窪みが形成されていることを特徴とする半導体光検出器。
IPC (3件):
H01L 27/14 ,  H01L 27/148 ,  H01L 31/09
FI (3件):
H01L 27/14 K ,  H01L 27/14 B ,  H01L 31/00 A

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