特許
J-GLOBAL ID：200903025984853503
炭素ナノチューブの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (8件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295661
公開番号（公開出願番号）：特開2004-284938
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】 通常の金属基板に炭素ナノチューブを成長する方法を提供することである。【解決手段】 本発明は下記のステップを含む炭素ナノチューブの製造方法を提供し、金属基板を提供し、炭化水素ガスを提供し、該金属基板の表面を酸化して酸化物層を形成し、該酸化物層に触媒層を形成し、炭化水素ガスを導入して炭素ナノチューブを成長する同時に、該酸化層を還元する。本発明は金属基板に形成された酸化物層により、該金属基板が触媒に対した不良作用を避けられ、成長した後に該酸化層を金属に還元することによって、金属基板に炭素ナノチューブを直接に成長することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭素ナノチューブの製造方法において、
1)金属基板を提供するステップと、
2)炭化水素ガスを提供するステップと、
3)該金属基板の表面を酸化して酸化物層を形成するステップと、
4)該酸化物層に触媒層を形成するステップと、
5)炭化水素ガスを導入して炭素ナノチューブを成長する同時に、該酸化物層を還元するステップと、
を含むことを特徴とする炭素ナノチューブの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
4G146AA11
, 4G146BA12
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC44
, 4G146CB29
