特許

J-GLOBAL ID：200903025984962140

半導体装置

発明者： 篠木 裕之 ,  徳重 利洋智 ,  高井 信行 ,  北川 勝彦
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046736
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243754
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】チップサイズパッケージの信頼性を向上させる。【解決手段】 ダイシング領域に除去領域ELを設け、この側面に被覆材6 ́、7 ́を設け、更に樹脂層Rを形成する。そして除去領域ELの幅よりも狭いダイシングブレードでフルカットすれば、従来ダイシング時に露出していた界面を被覆保護できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの一表面のサイズと実質等しいサイズを有し、前記半導体チップの一表面が樹脂により被覆された半導体装置に於いて、前記半導体チップには半田ボールまたは半田バンプと接続されるメタルポストおよび前記メタルポストが接続される再配線層が設けられ、前記半導体チップ周囲の側面には、前記半導体チップの下層の半導体基板まで到達する除去領域が設けられ、前記除去領域に露出した界面には、前記メタルポストおよび/または前記再配線層に用いられた材料が被覆される事を特徴とした半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/78 L ,  H01L 23/30 D

Fターム (39件)：

4M109AA02 ,  4M109BA07 ,  4M109CA05 ,  4M109CA24 ,  4M109DA04 ,  4M109DA07 ,  4M109DB17 ,  4M109EA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EA11 ,  4M109EA12 ,  4M109EC01 ,  4M109ED02 ,  4M109ED03 ,  4M109EE03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK08 ,  5F033KK33 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033VV03 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18