特許
J-GLOBAL ID：200903025987829263
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084733
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246567
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【目的】 ON/OFF比の大きい薄膜トランジスタを提供する。【構成】 Nチャネル型の薄膜トランジスタにおいて、チャネル形成領域102内にN型の領域104と106と107を配置する。このようにすることで、ゲイト電極に負の電圧を印加したOFF動作時には、109で示される経路でOFF電流が流れる。一方、ゲイト電極に正の電圧を印加したON動作時には、111で示される経路でON電流が流れる。即ち、OFF電流をより流れにくくすることができ、高いON/OFF比を得ることができる。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域に隣接して前記ドレイン領域よりも低濃度に不純物を含んだ低濃度不純物領域が配置されており、ソース領域およびドレイン領域の間において、ON電流の経路とOFF電流の経路とが異なっていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 617 K
