特許
J-GLOBAL ID：200903026000013387
GaN系半導体発光ダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-324858
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133589
出願日： 2001年10月23日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 従来の上部電極よりも、光をより多く外界へ通過させ得る上部電極を備えたGaN系LEDを提供すること。【解決手段】 上部電極P2を細分化しかつ透光性を有するように形成する。細分化部分P22では、電極を網状または分岐状を呈するように細分化し、素子構造の最上面4aに広がる部分とし、細分化された電極間には最上面を露出させる。細分化の程度は、これを一辺50μmの正方形を構成単位として行列状に区分しても、各構成単位内に電極部分と露出部分とが同様に存在するものとし、各構成単位に占める電極部分の面積の割合は、30%〜80%とすることが好ましい。
請求項（抜粋）：
GaN系半導体からなる発光層を含む積層構造を有する発光ダイオードであって、前記積層構造の最上面には、当該発光ダイオードに設けられるp型、n型の両電極のうちの一方が上部電極として設けられており、該上部電極は細分化部分を有し、該細分化部分は、電極が網状または分岐状を呈するように細分化されて前記最上面に広がる部分であって、細分化された電極間には該最上面が露出しており、該細分化部分の電極が、発光層から発せられた光に対して透光性を有するように形成されていることを特徴とするGaN系半導体発光ダイオード。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA93
