特許

J-GLOBAL ID：200903026003554095

高密度プラズマ生成装置

発明者： 渡辺 一弘 ,  生田 美植 ,  遠藤 光広
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-304396
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161488
出願日： 1993年12月03日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 広い圧力範囲において高密度でしかも高い均一性のプラズマを生成できるプラズマソースを提供する。【構成】 真空チャンバを画定している誘電体壁の外側に高周波電流を流すことのできる高周波コイルアンテナ2を設け、この高周波コイルアンテナに流れる高周波電流と交わる方向の磁場を発生する永久磁石5を高周波コイルアンテナに沿って設けることから成る。

請求項（抜粋）：

真空チャンバのプラズマ生成領域を画定する誘電体部材の外側に高周波電流を流すことのできる少なくとも一つの高周波アンテナを設け、この高周波アンテナに流れる高周波電流とほぼ直交する方向の磁場を発生する少なくとも一つの永久磁石を高周波アンテナに沿って設けたことを特徴とする高密度プラズマ生成装置。

IPC (9件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01J 27/18 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/305 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-160163
  
• 特開平4-160162