特許

J-GLOBAL ID：200903026004183660

電子材料製造法

発明者： マロニー,デイビッド,ジェイ. ,  リー,ワイ,エム. ,  ロマン,ポール,ジェイ.ジュニア, ,  フリー,マイケル,エー. ,  ヒル,ロス,エイチ.
出願人/特許権者： イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド
代理人 (4件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  小林 純子 ,  黒田 薫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-501858
公開番号（公開出願番号）：特表2004-512672
出願日： 2001年06月06日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

本発明は、ハード・マスクの製造に関する。実施形態は、直接パターン形成工程中の上面イメージ化層への前駆体の転換に関する。本発明の他の実施形態は、エッチングしたパターンを基板上に形成する方法である。本発明のさらに他の実施形態は、打ち込み領域を基板内に形成する方法である。好ましい前駆体は、アセチルアセトナト、カルボキシラート、アルコキシ、アジド、カルボニル、ニトラト、アミン、ハライド、ニトロ、及びこれらの組合せからなる群から選んだ少なくともひとつの配位子、並びに、Li, Al, Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ba、La、Pr、Sm、Eu、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Pb、Th、U、Sb、As、Ce、Mg、及びこれらの組合せからなる群から選んだ少なくともひとつの金属を含む金属錯体から形成する。

請求項（抜粋）：

次の工程を含む、基板上にハード・マスクを形成する方法: 少なくとも1種の前駆体材料を選ぶこと; 基板上に該前駆体を含む層を形成させること; 該前駆体層の少なくとも一部を変換すること; 該前駆体層を現像し、それによって該前駆体層にパターンを生成すること;および 該パターンを該基板に転写し、その結果、該パターンを生成させる際にフォトレジストを使わないこと。

IPC (7件)：

H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3205

FI (7件)：

H01L21/30 502D ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/88 S ,  H01L21/265 M ,  H01L21/302 100

Fターム (45件)：

2H025AA02 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BB03 ,  2H025BH04 ,  2H025FA16 ,  2H025FA44 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096EA02 ,  2H096EA08 ,  2H096GA04 ,  2H096HA28 ,  5F004EA03 ,  5F004EA17 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033MM02 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ56 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F046AA28 ,  5F046LA12