特許
J-GLOBAL ID：200903026004618496
低雑音半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326359
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186253
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 微細化によっても十分に1/fノイズを低減することのできる半導体装置を提供する。【構成】 シリコン基板10の表面から離れて不純物拡散塊14a、15aを形成し、この不純物拡散塊14a、15aをソース領域14およびドレイン領域15とする。ソース領域14およびドレイン領域15間では、キャリアがゲート絶縁膜16に接することなく伝導するため、1/fノイズが低減される。
請求項（抜粋）：
第1導電型を有する半導体基板と、この半導体基板内でキャリアを伝導するためのチャネルを形成するチャネル領域と、このチャネル領域を挟んで半導体基板内に形成される第2導電型のソース領域およびドレイン領域と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極とを備え、ゲート電極に印加されるゲート電圧を調整することによってソース領域およびドレイン領域間の電流量を制御する半導体装置において、前記ソース領域およびドレイン領域は、半導体基板表面から離れて形成された不純物拡散塊を含むことを特徴とする低雑音半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 S
