特許
J-GLOBAL ID：200903026014150778

電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置

発明者：
芝崎 誠男

芝崎 誠男 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043968
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243327
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いることなく、開口部を金属層で選択的に埋め込む。【解決手段】 インクジェット法を用いて、コンタクトホールCH1、CH2およびビアホールBH1に金属の液滴7a〜7cを吐出することにより、埋め込み配線8a、8b、10を層間絶縁膜6、9上に形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層に形成された開口部と、前記開口部に金属の液滴を吐出することにより形成された埋め込み配線とを備えることを特徴とする電子デバイス。
IPC (7件)：
H01L 21/288 ,  B22D 19/08 ,  B22D 23/00 ,  B41J 2/01 ,  C23C 26/02 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768
FI (7件)：
H01L 21/288 Z ,  B22D 19/08 Z ,  B22D 23/00 E ,  C23C 26/02 ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 A ,  B41J 3/04 101 Z
Fターム (46件)：
2C056FA02 ,  2C056FA15 ,  2C056FB01 ,  4K044AA01 ,  4K044AB10 ,  4K044BA10 ,  4K044BB10 ,  4K044BC14 ,  4K044CA11 ,  4K044CA55 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD51 ,  4M104DD68 ,  4M104DD77 ,  4M104DD80 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033MM01 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ44 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033XX00 ,  5F033XX18 ,  5F033XX34
引用特許：
審査官引用 (1件)

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