半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026580
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229568
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】浅接合のソースおよびドレイン構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】ソースおよびドレイン用の拡散層9aを形成するためのイオン注入時に形成された非晶質層10a部分をレーザー光照射により選択的に溶融、再結晶化することにより、浅接合のソースおよびドレイン用の拡散層9aの低抵抗化を実現するにあたり、溶融領域とゲート電極の重畳部での短絡等の不良発生を防止するため、ゲート電極の側面に第1ゲート側壁絶縁膜8を形成した後に上記イオン注入することで、非晶質層10aがゲート電極と重畳しない構造とし、上記短絡不良を生じさせることなく非晶質層10aの溶融、再結晶化を実現する。

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法:(a)半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を形成する工程、(b)前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程、(c)前記ゲート電極の側壁に側壁絶縁膜を形成する工程、(d)前記ゲート電極および側壁絶縁膜をマスクとして前記半導体基板に第1イオンを導入することにより、前記半導体基板にソースおよびドレイン用の拡散層と、前記拡散層の表層部分において前記ゲート電極から離れた位置に非晶質層とを形成する工程、(e)前記半導体基板の主面に対してレーザー光を照射することにより、前記非晶質層を選択的に再結晶化させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/265 602

FI (3件)：

H01L 21/265 602 C , H01L 29/78 301 S , H01L 21/265 Q

Fターム (58件)：

5F140AA01 , 5F140AA06 , 5F140AA13 , 5F140AA21 , 5F140AB03 , 5F140AC32 , 5F140AC33 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC06 , 5F140BD01 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF30 , 5F140BG09 , 5F140BG11 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BH21 , 5F140BH22 , 5F140BH49 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07 , 5F140CF04

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