高融点金属スパッタターゲット

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018400
公開番号（公開出願番号）：特開平6-228746
出願日： 1993年02月05日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：

【要約】【目的】品質の良い成膜を得ることができる高融点金属スパッタターゲットとその製造方法を提供し,また,この高融点金属スパッタターゲットの再利用方法を提供すること。【構成】スパッタターゲット材を銅(Cu)製バッキングプレート1の凹部に,この凹部以外の部分をステンレス製のマスク2,3,4を施して,直接CVD法によって堆積形成する。この高融点金属スパッタターゲットは,使用後,再び同様にして,CVD法によって高融点金属が堆積されて再生される。【効果】高融点金属W,Moの高純度被膜を比較的容易に得ることができるCVD法によるスパッタターゲットにおいて,基板をCu製のバッキングプレートとし直接CVD成膜することによりロー付け工程をなくすことができる。さらに,CVD法では同種材料上の成膜がより簡単であることから,使用済みのターゲットの消耗部の再成膜による再生処理が可能である。

請求項（抜粋）：

ターゲット材を挿着する凹部を備えたバッキングプレートと,前記凹部に挿入された高融点金属からなるターゲット材とを有する高融点金属スパッタターゲットにおいて,前記ターゲット材は前記凹部に直接堆積されていることを特徴とする高融点金属スパッタターゲット。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-243761
特開昭63-093859

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