特許
J-GLOBAL ID：200903026017739110
半導体レーザ励起固体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川崎 勝弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-273218
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074589
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 Nd3+を活性イオンとする半導体レーザ励起固体レーザの励起エネルギーの利用効率を高めること。【解決手段】 Nd3+活性イオンとする半導体レーザ励起固体レーザにおいて、前記Nd3+の4I9/2準位から4F3/2準位への光学遷移に対応する波長で発振する半導体レーザを励起光源とする。
請求項（抜粋）：
Nd3+を活性イオンとする固体レーザと前記固体レーザを励起する半導体レーザとを備えてなる半導体レーザ励起固体レーザにおいて、前記半導体レーザが発振する前記固体レーザのNd3+の4I9/2準位から4F3/2準位へ光学遷移させる波長で前記固体レーザを励起してなることを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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