特許
J-GLOBAL ID：200903026027813920
液晶素子の製造方法、及び液晶素子の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
近島 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-035259
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231354
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 液晶空隙部や微小配向異常部を低減する。【解決手段】 加圧恒温槽11の内部を高温(液晶が低温状態相よりも高温側の相を呈するような温度)にしておき、水槽12の内部を低温(液晶が低温状態相を呈する温度)にしておき、液晶パネルPを立設させた姿勢のままゆっくりとした速度で下降させる。これにより、液晶パネルPは、下部から徐々に冷却されることとなり、液晶分子の再配向がなされる。この方法によれば、再配向後において液晶空隙部や微小配向異常部が低減される。
請求項（抜粋）：
カイラルスメクチック相を呈する液晶を一対の基板の間隙に挟持してなる液晶素子を製造する液晶素子の製造方法において、前記液晶が低温状態相よりも高温側の相を呈するように前記液晶素子を加熱する工程と、前記液晶素子を加圧する工程と、該加圧下において、前記液晶素子の一方の端部から他方の端部にわたって温度勾配を有する状態で、液晶が低温状態相を呈する温度まで前記液晶素子を冷却する工程と、を備え、かつ、10μm2 以上の大きさの微小配向異常部が100個/mm2 以下である、ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F 1/137 510
, G09F 9/30 C
