特許

J-GLOBAL ID：200903026030896798

バンプ形成方法およびめっき装置

発明者： 吉田 貴司 ,  小鉄 泰生 ,  日高 理伸 ,  平手 洋 ,  東 博純 ,  竹内 昭博
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357650
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164368
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】基板に形成されるバンプの高さ等に代表されるバンプ形状を自在に制御することができるバンプ形成方法を提供すること。【解決手段】本発明のバンプ形成方法は、少なくとも基板10のバンプ20を形成する部位に、めっき溶液を接触させるめっき溶液接触工程と、少なくとも基板10上の部位30にめっき溶液が接触しているときに、部位30にレーザ光Lを照射して金属を析出させることによりバンプ20を形成するレーザ光照射工程と、を有するバンプ形成方法において、前記レーザ光照射工程では、少なくとも基板10の部位30の上に、レーザ光Lを透過でき、金属の析出を制限するバンプ形成制限手段5を設けることを特徴とする。つまり、めっき溶液中の金属が析出することをバンプ形成制限手段5によって物理的に制限することで、バンプ20を任意の形状とすることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板のバンプを形成する部位に、めっき溶液を接触させるめっき溶液接触工程と、少なくとも該基板上の該部位に該めっき溶液が接触しているときに、該部位にレーザ光を照射して金属を析出させることにより該バンプを形成するレーザ光照射工程と、を有するバンプ形成方法において、前記レーザ光照射工程では、少なくとも前記基板の前記バンプを形成する部位の上に、前記レーザ光を透過でき、前記金属の析出を制限するバンプ形成制限手段を設けることを特徴とするバンプ形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  C23C 18/31 ,  H05K 3/34 505

FI (3件)：

C23C 18/31 A ,  H05K 3/34 505 A ,  H01L 21/92 604 D

Fターム (9件)：

4K022AA05 ,  4K022AA41 ,  4K022CA27 ,  4K022DA01 ,  4K022DA09 ,  4K022EA03 ,  5E319AC02 ,  5E319BB04 ,  5E319CD26