特許
J-GLOBAL ID：200903026030939535
スパッタリングターゲットおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-242781
公開番号（公開出願番号）：特開2002-053952
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2002年02月19日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリング成膜に好適で、膨れが無く、高密度なIn-Ge-O系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 実質的にIn、Geおよび酸素からなる、焼結密度90%以上の金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットであり、好ましくは、GeをGe/(In+Ge)の原子比で2.0〜10.0%含有し、このようなターゲットは、例えば、平均粒径1.5μm以下のIn2O3粉末及びGeO2粉末との混合粉末を成形した後、少なくとも800°Cに達した時点から焼結温度での保持時間が終了するまでの間の焼結炉内を実質的に純酸素ガス雰囲気とし、酸素導入時の酸素流量(L/分)と成形体仕込重量(kg)との比(仕込重量/酸素流量)を1.0以下とし、焼結温度を1200〜1400°Cとすることにより得られる。
請求項（抜粋）：
実質的にインジウム、ゲルマニウムおよび酸素からなる、焼結密度90%以上の金属酸化物焼結体を用いるスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C04B 35/495
, C04B 35/64
C23C 14/34 A
, C04B 35/00 J
, C04B 35/64 A
, C04B 35/64 C
4G030AA34
, 4G030AA38
, 4G030BA02
, 4G030GA25
, 4G030GA27
, 4K029BA50
, 4K029BC09
, 4K029DC05
, 4K029DC09
, 4K029DC24
