化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151084
公開番号（公開出願番号）：特開2004-354610
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】1つの基板上に集積回路と液晶ディスプレイ部分が形成されるシステムLCDの製造用として要求される耐熱性、解像性、リニアリティ、およびDOF特性を満足するとともに、良好な感度を有するホトレジスト組成物およびその製造方法を提供する。【解決手段】1つの基板上に集積回路と液晶ディスプレイ部分が形成された基板製造用の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、(A)樹脂成分と、(C)放射線の照射により酸成分を発生する化合物と、有機溶剤を含み、前記(C)成分から発生する酸成分の作用により、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する性質を有し、当該ホトレジスト組成物に含まれる固形分の、ゲルパーミエーションクロマトグラフ法によるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が3000〜100000の範囲内であることを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

1つの基板上に集積回路と液晶ディスプレイ部分が形成された基板製造用の化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物であって、 (A)樹脂成分と、(C)放射線の照射により酸成分を発生する化合物と、有機溶剤を含み、前記(C)成分から発生する酸成分の作用により、アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する性質を有し、当該ホトレジスト組成物に含まれる固形分の、ゲルパーミエーションクロマトグラフ法によるポリスチレン換算質量平均分子量(Mw)が3000〜100000の範囲内であることを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F7/039 , C08F8/00 , C08G8/30 , G03F7/004 , H01L21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 , C08F8/00 , C08G8/30 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R

Fターム (35件)：

2H025AA02 , 2H025AA10 , 2H025AB14 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB29 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J033CA20 , 4J033CA42 , 4J033HA12 , 4J033HB10 , 4J100AB07P , 4J100BA02H , 4J100BA03P , 4J100BC04H , 4J100BC43P , 4J100CA01 , 4J100CA31 , 4J100DA01 , 4J100HA55 , 4J100HA61 , 4J100HA62 , 4J100HC13 , 4J100HE07 , 4J100HE14 , 4J100HE41 , 4J100JA38

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