半導体集積回路の平坦化方法及びそのための化学的機械研磨スラリ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：角田衛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196052
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023940
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体集積回路製造における銅系配線化学的機械研磨において銅系配線層、バリア層、絶縁層を含む面を均一に研磨できる平坦化方法の提供。【解決手段】銅系配線層1、バリア層2、絶縁層3に対して特定の研磨速度比を有する異なる研磨スラリを用いて3工程の化学的機械研磨を順次行うことによる。銅系配線層が研磨され表角にバリア層が現れてくる。この時抵抗が変るので終点検出が可能になり、研磨作業停止の判断を容易に行える。バリア層の研磨速度を重視する場合と絶縁層の研磨を重視する場合とでスラリーの特性を変えて検出するバリア層重視の場合のスラリー特性1.5≧銅系配線層の研磨速度/バリア層の研磨速度≧0.8かつ銅系配線層の研磨速度/絶縁層の研磨速度≧2.0絶縁層重視の場合のスラリ特性絶縁層の研磨速度/銅系配線層の研磨速度≧5.0

請求項（抜粋）：

以下の工程A、工程B、工程Cの3工程をこの順で行うことを特徴とする、絶縁層とバリア層と銅系配線層とを有する半導体集積回路の平坦化方法。工程A:(銅系配線層の研磨速度/バリア層の研磨速度)≧10.0である化学的機械研磨スラリを用いて研磨を行い、バリア層が研磨表面に出てきたときのトルク抵抗の変化を検出し研磨作業を停止する工程。工程B:1.5≧(銅系配線層の研磨速度/バリア層の研磨速度)≧0.8であり、かつ、(銅系配線層の研磨速度/絶縁層の研磨速度)≧2.0である化学的機械研磨スラリを用いて研磨を行い、絶縁層が研磨表面に出てきたときのトルク抵抗の変化を検出し研磨作業を停止する工程。工程C:(絶縁層の研磨速度/銅系配線層の研磨速度)≧5.0である化学的機械研磨スラリを用いて研磨を行い、絶縁層と銅系配線層が同じ平面上に出てきたときのトルク抵抗の変化を検出し研磨作業を停止する工程。

IPC (7件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , C09K 13/02 , C09K 13/06 , C09K 13/06 101

FI (7件)：

H01L 21/304 622 S , H01L 21/304 622 D , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z , C09K 13/02 , C09K 13/06 , C09K 13/06 101

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