特許

J-GLOBAL ID：200903026050349793

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 鳥居 克裕 ,  芦原 洋司 ,  小西 信博 ,  野口 純司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058353
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250824
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線の溝パターンへの埋め込み性を向上することによって、配線抵抗のばらつきを低減し、またエレクトロマイグレーション耐性を向上する。【解決手段】 幅、深さがそれぞれ1. 0μm未満であって、かつアスペクト比が1. 0以下の溝パターンに、スパッタリフロー法でCuを埋め込み、幅、深さがそれぞれ0. 5μm以上の溝パターンに、電解めっき法でCuを埋め込むことによって、溝パターンの内部にCu膜が完全に埋め込まれた第1層配線ML1 〜第4層配線ML4 を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁層に設けられた溝パターンにCu配線を有する半導体集積回路装置であって、アスペクト比が1. 0以下の溝パターンに、スパッタリフロー法で成膜されたCuが埋め込まれていることを特徴とする半導体集積回路装置。

Fターム (41件)：

5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ29 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033WW01