誘電体組成物、セラミック多層素子の製造方法および電子装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康 , 箱崎幸雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-518482
公開番号（公開出願番号）：特表2004-505878
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】55よりも高い比誘電率を有し、そのTCCがNP0の基準を満たし、かつ、Cuを含む電極とともに焼結できる誘電体組成物を提供する。【解決手段】誘電体組成物は、BaaREbTicO3を含み鉛およびビスマスが無いセラミック組成物と、ガラス組成物と、金属酸化物と、の混合物を備える。ここで、REは、0.05≦a≦0.25、0.525≦b≦0.70、0.85≦c≦1.0であり2a+3b+4c=6である希土類元素を表わす。ガラス組成物は、ZnOまたはMgO、SiO2、および重量で少なくとも10%のLi2OまたはTiO2を含むことが好ましい。アルカリ土類金属酸化物は、MgOであることが好ましい。できれば、ガラス組成物は、実質的に、50〜80重量パーセントのSiO2と、5〜25重量パーセントのMgOと、任意の他のアルカリ土類金属酸化物と、重量で10〜25%のLi2Oと、からなり、実質的にボロンが無い。誘電体組成物は、セラミック多層素子のような電子装置が製造されるように、Cu電極の存在中にCuの融点を下回る温度で焼結できる。焼結後、誘電体組成物は、少なくとも55の比誘電率を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

BaaREbTicO3を含み、鉛およびビスマスが無いセラミック組成物と、 SiO2と、MgOおよびZnOを有するグループから選択された二価金属酸化物と、Li2OとTiO2を有するグループから選択された他の金属酸化物と、を含むガラス組成物と、前記ガラス組成物内に存在する前記二価金属酸化物とは異なる金属酸化物と、の混合物を備える誘電体組成物であって、前記REは、0.05≦a≦0.25、0.525≦b≦0.70、0.85≦c≦1.0であり2a+3b+4c=6である希土類元素を表わし、前記他の金属酸化物は、前記ガラス組成物から見て重量で少なくとも10%である、誘電体組成物。

IPC (4件)：

C04B35/46 , H01B3/02 , H01B3/12 , H01G4/12

FI (5件)：

C04B35/46 C , C04B35/46 D , H01B3/02 A , H01B3/12 303 , H01G4/12 364

Fターム (42件)：

4G031AA01 , 4G031AA02 , 4G031AA03 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA08 , 4G031AA11 , 4G031AA18 , 4G031AA19 , 4G031AA21 , 4G031AA22 , 4G031AA23 , 4G031AA25 , 4G031AA26 , 4G031AA27 , 4G031AA30 , 4G031BA09 , 4G031CA03 , 4G031CA08 , 4G031GA08 , 4G031GA11 , 5E001AB03 , 5E001AC09 , 5E001AE00 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AH08 , 5E001AH09 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5G303AA05 , 5G303AB06 , 5G303AB15 , 5G303BA12 , 5G303CA03 , 5G303CA11 , 5G303CB03 , 5G303CB16 , 5G303CB22 , 5G303CB35 , 5G303CB41 , 5G303DA05

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