特許
J-GLOBAL ID:200903026050804040

半導体、太陽電池及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-013103
公開番号(公開出願番号):特開2001-203375
出願日: 2000年01月21日
公開日(公表日): 2001年07月27日
要約:
【要約】【課題】 従来のチタニア太陽電池は、吸収波長を増感させるために、色素をチタニア電極中に含有させているが、これらの有機色素は、チタニアがいわゆる光触媒であるために、しばらくすると色素がチタニアによって分解されてしまい、太陽電池としての実用的な寿命を有することができなかった。また、ただ単に平板のチタニアを用いたのでは、太陽光の吸収面積が小さいため、実用的な電流や、電圧を確保することができなかった。【解決手段】 二酸化チタン(TiO2)半導体において、該二酸化チタン半導体は、チタン微粉末を焼結して形成したアナターゼ型の酸化物構造を有する二酸化チタン半導体であり、該二酸化チタン半導体は空孔率が5〜90%であることを特徴とする。前記二酸化チタン半導体は0.1〜2.0μmol/gのCrまたはVの不純物を含んでいることを特徴とする。
請求項(抜粋):
二酸化チタン(TiO2)半導体において、該二酸化チタン半導体は、チタン(Ti)の微粉末を焼結することにより酸化して形成したアナターゼ型の二酸化チタンからなる半導体であり、該二酸化チタン半導体は空孔率が5〜90%であることを特徴とする半導体。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (2件):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (12件):
5F051AA07 ,  5F051CA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA14 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04 ,  5H032HH06

前のページに戻る