特許

J-GLOBAL ID：200903026057558274

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 平田 照二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298920
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119098
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】ノイズ、駆動電流値および非点隔差が低減されたゲインガイド型の半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の第1クラッド層1と、第1クラッド層1上に形成され、共振器長方向に光導波路7を有する活性層2と、活性層2上に形成された第2導電型の第2クラッド層3と、光導波路上部のストライプ部分6を除く、第2クラッド層3の表層に形成された電流狭窄層5とを有し、活性層2と電流狭窄層5との距離を共振器長方向の中央部と端面付近とで異ならせた半導体レーザ、およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に形成され、共振器長方向に光導波路を有する活性層と、前記活性層上に形成された第2導電型の第2クラッド層と、前記光導波路上部のストライプ部分を除く、前記第2クラッド層の表層に形成された電流狭窄層とを有し、前記活性層と前記電流狭窄層との距離を、前記共振器長方向の中央部と端面付近とで異ならせた半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 5/16 ,  H01L 21/308 ,  H01S 5/227

FI (3件)：

H01S 5/16 ,  H01L 21/308 C ,  H01S 5/227

Fターム (17件)：

5F043AA03 ,  5F043AA14 ,  5F043BB07 ,  5F043DD21 ,  5F043FF05 ,  5F073AA07 ,  5F073AA62 ,  5F073AA86 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA14 ,  5F073DA22 ,  5F073EA18 ,  5F073EA23 ,  5F073EA27