特許
J-GLOBAL ID：200903026063428129
半導体集積回路およびその特性測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260677
公開番号（公開出願番号）：特開2001-083214
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 複数の被測定素子の特性を測定する特性測定用端子数を必要最小限にして、チップ周辺部における端子の設置を容易にし、また、選択アドレス信号の発生を制御する外部制御装置を必要としない半導体集積回路およびその特性測定方法を提供する。【解決手段】 複数の被測定素子11及び特性測定用端子13を備えた半導体集積回路において、複数の被測定素子11の各々を特性測定用端子13に選択的に接続させる選択アドレス信号aを出力するカウンタ部14を内蔵する。カウンタ部14は、特性測定時にスキャンする信号により駆動されて選択アドレス信号aを自動的に生成する。
請求項（抜粋）：
複数の測定対象及び特性測定用端子を備えた半導体集積回路において、前記複数の測定対象の各々を前記特性測定用端子に選択的に接続させる選択アドレス信号を出力する制御手段を内蔵することを特徴とする半導体集積回路。
Fターム (4件)：
2G032AA01
, 2G032AB01
, 2G032AK11
, 2G032AL05
