特許
J-GLOBAL ID:200903026070972250

遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-234240
公開番号(公開出願番号):特開2001-056557
出願日: 1999年08月20日
公開日(公表日): 2001年02月27日
要約:
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケーション本来の性能向上技術の課題を解決された遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、現像欠陥の発生及びスカムの発生の少なく、更に疎密依存性及びエッジラフネスが優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、特定の構造を含む繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及びフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(B)下記一般式(I)で表される基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、及び(C)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I)中;R1は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜4個のアルキル基を表す。R2〜R7は同じでも異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。但し、R6、R7のうち、少なくとも一つは水素原子以外の基である。R6とR7が結合して環を形成してもよい。m、nは、各々独立に、0又は1を表す。但し、m、nは同時に0を表すことはない。
IPC (4件):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027 ,  C08F 20/18
FI (4件):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 502 ,  C08F 20/18 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (43件):
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB42 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H097CA13 ,  2H097CA17 ,  2H097FA03 ,  2H097LA10 ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AM14R ,  4J100BA03P ,  4J100BA05R ,  4J100BA08R ,  4J100BA12Q ,  4J100BA12R ,  4J100BA15R ,  4J100BA55R ,  4J100BA58R ,  4J100BC12P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

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