特許
J-GLOBAL ID:200903026081901648
プログラミング電圧レベルがEEPROMの確実な書き込みに十分であるよう決定するための方法、システム、および装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-291329
公開番号(公開出願番号):特開2001-155491
出願日: 2000年09月25日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 不揮発性格納データを有するEEPROMが信頼性を有するようにプログラミングするためのシステム、方法、および装置を提供すること。【解決手段】 本発明の電子システムは、マイクロコントローラコアロジック102と、EEPROM112と、EEPROMプログラミングロジック114と、EEPROMプログラミング電圧を生成するためのチャージポンプ116と、を含み、チャージポンプによって生成されたプログラミング電圧を電圧コンパレータ118aで基準電圧と比較しプログラミング電圧が所望の値以上である場合、プログラミングロジックは、EEPROM上でプログラミング処理を行うようにイネーブルされ、プログラミング電圧が所望の値より小さい場合、プログラミングロジックは、EEPROM上でプログラミング処理を行うことを抑止される。
請求項(抜粋):
電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ(EEPROM)を有する電子システムであって、プロセッサと、EEPROMと、EEPROMプログラミングロジックと、EEPROMプログラミング電圧を生成するためのチャージポンプと、を含み、該チャージポンプによって生成された該EEPROMプログラミング電圧が、該EEPROMプログラミングロジックをイネーブルする前に所望の値であると決定されるように該チャージポンプをイネーブルするロジックが構成され、該生成されたEEPROMプログラミング電圧が該所望の値以上である場合、該EEPROMプログラミングロジックは、該EEPROM上でプログラミング処理を行うようにイネーブルされ、該生成されたEEPROMプログラミング電圧が該所望の値より小さい場合、該EEPROMプログラミングロジックは、該EEPROM上でプログラミング処理を行うことを抑止される、電子システム。
IPC (6件):
G11C 16/06
, G06F 12/16 340
, G06F 15/78 510
, G11C 17/00
, G11C 16/02
, G11C 29/00 673
FI (8件):
G06F 12/16 340 C
, G06F 15/78 510 P
, G11C 17/00 D
, G11C 29/00 673 B
, G11C 17/00 632 A
, G11C 17/00 611 Z
, G11C 17/00 632 Z
, G11C 17/00 632 D
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