特許

J-GLOBAL ID：200903026081945793

半導体処理装置のゲートバルブをベークアウトする方法と装置

発明者： ティモシー ジョセフ フランクリン ,  ディヴィッド ダートン ヒュオ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100206
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068381
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体処理室の低圧条件をより速く達成するためのゲートバルブのベークアウト装置とその方法。【解決手段】 真空ポンプ(4) 、ゲートバルブ(6) 、室(2) を有する半導体処理装置の真空条件をより迅速に達成する装置は、ゲートバルブの表面に接触する加熱要素(40,42) を含む剛体本体部分(22,24) を備える。この装置は、装置をゲートバルブに保持するためのU形保持クリップ(26)を備える。汚染物質を蒸発させるためゲートバルブを加熱する方法は、ゲートバルブの下側部分を加熱し、汚染物質を真空ポンプに向かって真空引きするステップを備える。

請求項（抜粋）：

半導体処理装置のゲートバルブをベークアウトする装置において、少なくとも1つの加熱要素を内部に有する第1剛体本体部分を備えることを特徴とする装置。

IPC (5件)：

F04B 37/16 ,  F04B 37/08 ,  F16K 3/00 ,  F16K 49/00 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

F04B 37/16 B ,  F04B 37/08 ,  F16K 3/00 C ,  F16K 49/00 B ,  H01L 21/203 M