特許
J-GLOBAL ID：200903026082418118
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242591
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069448
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、従来よりも高集積化され高い信頼性を有する、キャパシタを有する半導体装置を、歩留り良く製造できる半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】 半導体基体表面に水素原子を付与する表面処理工程と、前記工程の後、前記キャパシタの形状パターンを作るため、前記半導体基体表面に選択的にエネルギー線を照射する工程(c)と、キャパシタの一方の電極として、前記基体表面のエネルギー線の非照射領域上に、選択的にAl領域618を形成する工程(d)と、前記キャパシタの誘電体層として、前記Al領域表面に酸化膜619を形成する工程(e)と、前記キャパシタの他方の電極として、前記酸化膜上にAl膜620を形成する工程(f)と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、半導体基体表面に水素原子を付与する表面処理工程と、前記工程の後、前記キャパシタの形状パターンを作るため、前記半導体基体表面に選択的にエネルギー線を照射する工程と、前記キャパシタの一方の電極として、前記基体表面のエネルギー線の非照射領域上に、選択的に金属領域を形成する工程と、前記キャパシタの誘電体層として、前記金属領域表面に誘電体膜を形成する工程と、前記キャパシタの他方の電極として、前記酸化膜上に金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/108
, H01L 27/04
, H01L 21/285 301
