特許
J-GLOBAL ID：200903026083841545
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-323166
公開番号（公開出願番号）：特開2009-146510
出願日： 2007年12月14日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】メモリセルに印加するデータ書込電圧の調整を行う回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】ワード線にデータ書込用の電圧を印加し、データ書込用の電圧が印加されたメモリセルに書き込まれたデータの検証に成功するまでデータ書込用電圧を前記ワード線に印加する繰り返し回数を第1のカウンタにカウントし、その第1のカウンタによりカウントされた回数が第1の値を越える場合その第1のカウンタの値の積算回路への積算と第2のカウンタのカウントアップとを行い、第2のカウンタの値と前記積算回路に積算された値に基づいて、メモリセルに印加するデータ書込用の電圧の値を動作パラメータとして設定する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
ワード線に接続されるメモリセルから構成されるページを複数有するメモリセルアレイと、
ページを示すページアドレスを生成するページアドレス生成回路と、
前記ページアドレスが示すページを構成する前記メモリセルが接続されているワード線に複数のデータ書込用電圧を印加する書込電圧印加回路と、
前記メモリセルに書き込まれたデータの検証に成功するまで前記データ書込用電圧を前記ワード線に印加する繰り返し回数をカウントする第1のカウンタと、
前記第1のカウンタによりカウントされた回数が第1の値を越える場合、前記第1のカウンタの値を積算する積算回路と、
前記第1のカウンタによりカウントされた回数が前記第1の値を越える場合、カウントアップを行う第2のカウンタと、
前記積算回路による積算と前記第2のカウンタのカウントアップとの後に前記第1のカウンタをクリアして次のページアドレスを生成する次ページアドレス生成回路と、
前記第2のカウンタの値と前記積算回路に積算された値に基づいて、前記複数のデータ書込用電圧の一の値を動作パラメータとして設定する書込電圧値設定回路と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
G11C17/00 611E
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 601B
5B125BA01
, 5B125CA08
, 5B125DB02
, 5B125DB08
, 5B125DB12
, 5B125DB14
, 5B125DD05
, 5B125DD08
, 5B125EF08
, 5B125FA01
, 5B125FA02
, 5B125FA05
