特許

J-GLOBAL ID：200903026085740045

モノリシックマイクロ波集積回路

発明者： 澤井 徹郎 ,  原田 八十雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020199
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236968
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 製造が容易で高利得の小型MMICを提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に三つのMESFET10、20、30を段間コンデンサ25、36を介して一直線状に縦続接続している。この段間コンデンサ25、36はMESFET10、20のドレイン電極14、24の端部とMESFET20、30のゲート電極21、31を構成する電極部材21c、31cとを絶縁膜22、32を介して夫々重畳せしめて構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数のFETを段間コンデンサを介して縦続接続して成るモノリシックマイクロ波集積回路において、前段のFETのドレイン電極と後段FETのゲート電極とを絶縁膜を介して重畳せしめて上記段間コンデンサを構成したことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/095 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/80 E ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 L ,  H01L 29/80 B