特許
J-GLOBAL ID：200903026086153097
モノリシック半導体及び放出コヒーレント放射線の制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219151
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211376
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 集積型の半導体レーザ及びパワー増幅器におけるビーム制御を改善する。【構成】 コヒーレント放射線の生成及び増幅のために少なくとも1つの活性層を含む複数のヘテロ構造層を有する半導体レーザは、集積された増幅器部分を有し、この増幅器部分は、注入されるキャリヤの制御によって該増幅器部分の活性領域内に横利得プロフィールを成形するため、接点の組及びマスク層を有する。成形された横利得プロフィールは半導体レーザの基本モードに整合し、これにより、モードゆがみが減少し、効率が改善される。
請求項（抜粋）：
レーザ部分と光学部分とを有する半導体構造によって放出されるコヒーレント放射線の発散を制御するための方法において、前記レーザ部分及び光学部分は基体上に堆積された複数の半導体ヘテロ構造層を有し、各前記部分の前記層のうちの少なくとも1つはレーザ作用条件の下での光の増幅及び伝播のための活性領域であり、前記レーザ部分及び光学部分をモノリシック構造内に集積する段階と、特定のモードを有するレーザビームを放出するように前記レーザ部分を助長するため、前記レーザ部分内の層に電気的順バイアスを加える段階と、前記光学部分における展開中に前記レーザビームの前記特定のモードのモード形に整合させるため、前記光学部分の空間的に変化する屈折率プロフィールを生じさせる段階とから成ることを特徴とするコヒーレント放射線の発散制御方法。
IPC (2件)：
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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