特許

J-GLOBAL ID：200903026088507147

半導体製造装置における室内減圧方法

発明者： 福村 紀之
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-263479
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082594
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 目標減圧値への到達時間を速めた減圧方法を提供する。室からのパーティクルの排出を容易とする。【解決手段】 プロセスモジュールPM1を大気圧から1000Paまで減圧するには、排気側バルブPV・供給側バルブVを共に開き、真空ポンプVPを駆動しつつ、ガスコントローラ14よりN2ガスを供給する。N2ガスでのパージを行いつつ、真空ポンプVPによりプロセスモジュールPM1内の減圧を行う。プロセスモジュールPM1内には天井側から底壁に向かってN2ガス流が生じる結果、大気圧によるプロセスモジュールPM1内の酸素および水分を、このN2ガス流により排出する。また、パーティクルも排除できる。N2ガスの流量は20程度とする。圧力センサで内圧を検出し、目標値に達したら、バルブV・PVを閉じ、パージを停止し、真空ポンプVPの運転を停止する。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置における反応室、搬送室、カセット室等の処理対象基板を処理するための室内を減圧する方法にあって、この室に不活性ガスを供給しながら、この室内を減圧する半導体製造装置における室内減圧方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 A