特許
J-GLOBAL ID：200903026088696810
微細パターン形成方法及び露光用マスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354214
公開番号（公開出願番号）：特開平7-181668
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 マスク製作上の困難を招くことなく、孤立パターンをL/Sパターンと同様の高解像度で露光し得る微細パターン形成方法を提供すること。【構成】 マスクに形成された微細パターンを投影光学系を介してSiウェハ上に転写する微細パターン形成方法において、Siウェハ221上に2層の感光膜222,223を形成する工程と、パターン形成のための主パターンと同程度以上の大きさの開口部213を設けた第1のマスク210を用い、上層膜223に対して露光を行う工程と、パターン形成のための主パターン233とその近傍に該パターンと同程度の大きさの補助パターン234を設けた第2のマスク230を用い、下層膜221に対して露光を行う工程とを含み、かつ第1のマスク210の開口部213の転写像と第2のマスク230の主パターン233の転写像が相互に重なるように位置決めしたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
マスクに形成された微細パターンを被露光基板に転写する微細パターン形成方法において、前記被露光基板上に少なくとも2層の多層膜を形成する工程と、パターン形成のための主パターンと同程度の大きさのパターンを設けた第1のマスクを用い、前記多層膜の最上層の膜に対して露光を行う工程と、前記主パターンの近傍に該パターンと同程度の大きさの補助パターンを設けた第2のマスクを用い、前記多層膜又は該多層膜の最上層以外の膜に対して露光を行う工程とを含み、かつ第1のマスクのパターンの転写像と第2のマスクの主パターンの転写像が相互に重なるように位置決めしたことを特徴とする微細パターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 514 A
, H01L 21/30 528
