半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175114
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】感光塗布膜を用いてパターンを形成するリソグラフィ工程において、塗布膜のすそ引きを防ぎ、パターン寸法のばらつきをおさえる。【構成】従来通り、ポジ感光膜を塗布(A),露光(B),現像(C)を行った後、高温雰囲気中で基板のみウェーハ冷却することにより、感光膜3の厚さ方向に温度差をつける(D)。この結果、感光膜の高温領域3Cは、UV照射によりキュアされて固められるとともに、基板側ではすそ引き部分3Bがさらに露光されて現像で溶けやすくできる。これによってすそ引きのない感光膜パターンの形成が可能である(E)。

請求項（抜粋）：

ポジ感光塗布膜を用いてパターンを形成する際に、一旦パターンを形成した後、高温雰囲気中で基板を冷却してポジ感光膜に温度傾斜をもたせ再度全面露光し、現像することを特徴とする半導体装置の製造方法。

前のページに戻る