特許

J-GLOBAL ID：200903026095007826

配線または接続部の形成方法及び半導体装置

発明者： 池田 和斎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-196577
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041300
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 配線や接続孔の形成のためのパターニング時のレジスト工程やエッチング工程に伴う問題点を無くし、多層構造の重ね合わせのマージンを向上でき、平坦化等の工程数の増加を抑えられ、簡明に配線または接続部を得られる配線または接続部の形成方法、及びこのような簡明な構成で配線または接続部を形成した半導体装置を提供する。【解決手段】?@絶縁膜11′〜13′上に、形成すべき配線11〜13または接続部31,32に対応するパターンでマスク41〜43を形成し、金属イオンあるいは不純物イオンを上記マスクを介して上記絶縁膜にイオン注入することにより、該絶縁膜についてこれを部分的に電気的特性を変化させ、これによって配線または接続部を形成する。?A上記配線または接続部を形成した半導体装置。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に、形成すべき配線または接続部に対応するパターンでマスクを形成し、金属イオンあるいは不純物イオンを上記マスクを介して上記絶縁膜にイオン注入することにより、該絶縁膜についてこれを部分的に電気的特性を変化させ、これによって配線または接続部を形成することを特徴とする配線または接続部の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/90 A