特許
J-GLOBAL ID:200903026096899712

薄膜無機発光ダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小田島 平吉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-025508
公開番号(公開出願番号):特開2002-246177
出願日: 2002年02月01日
公開日(公表日): 2002年08月30日
要約:
【要約】【課題】 薄膜無機発光ダイオードの製造方法を開示する。【解決手段】 本デバイスは、発光中心がドーパントとして添加されている硫化亜鉛の分散液と水相溶性p型半導体ポリマー、好適にはポリチオフェン/高分子量ポリアニオン錯体を一層の状態または二層の状態で含有する。
請求項(抜粋):
薄膜無機発光ダイオードデバイスの製造方法であって、下記の段階:(1)亜鉛イオンと硫化物イオンとドーパントイオンを含んで成る適切な水溶液から沈澱を起こさせることで発光中心がドーパントとして添加されたZnSのナノ粒子分散液を生じさせ、(2)前記ドーパント添加ZnSの分散液を洗浄することで沈澱しなかったイオンを除去し、(3)前記洗浄したドーパント添加ZnS(n型半導体)分散液を水相溶性p型半導体ポリマーと混合し、(4)前記混合物を場合により結合剤と混合した後、これを1番目の導電性電極に被覆し、(5)前記段階(4)の結果として被覆された層の上部に2番目の導電性電極を取り付けるが、但し前記1番目の電極および2番目の電極の中の少なくとも一方が透明であることを条件とし、或は(3’)1番目の導電性層の上部を、(3’a)水相溶性p型半導体ポリマーを含有する層、および(3’b)前記洗浄したドーパント添加ZnS分散液を場合により結合剤と混ざり合った状態で含有する層、をいずれかの順で含んで成る二重層パックで被覆し、(4’)前記段階(3’)の結果として被覆された層パックの上部に2番目の導電性電極を取り付けるが、但し前記1番目の電極および2番目の電極の中の少なくとも一方が透明であることを条件とする、段階を順に含んで成る方法。
IPC (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/22
FI (2件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/22 Z
Fターム (8件):
3K007AB18 ,  3K007BA07 ,  3K007CA06 ,  3K007DA01 ,  3K007DB02 ,  3K007DC01 ,  3K007DC02 ,  3K007FA01

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