特許

J-GLOBAL ID：200903026098239094

反射マスク

発明者： 村上 勝彦 ,  山本 正樹
出願人/特許権者： 株式会社ニコン ,  山本 正樹
代理人 (1件)： 渡辺 隆男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-113196
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313694
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 焦点深度を拡大する効果があり、また、従来は不可能であった欠陥の修正が可能なEUVリソグラフィ用反射マスクを提供する。さらに、マスク上のパターンを精度良く転写することができる反射マスクを提供する。【解決手段】 基板上に所定の波長の軟X線を反射する第一の多層膜反射層と、中間層と、所定の波長の軟X線を反射する第二の多層膜反射層とを順次積層してなり、該中間層は、パターンの明部では該第一及び第二の多層膜反射層間の干渉を強め合う光路長に相当する厚さを有し、パターンの暗部では該第一及び第二の多層膜反射層間の干渉を打ち消し合う光路長に相当する厚さを有することを特徴とする反射マスクとした。

請求項（抜粋）：

基板上に所定の波長の軟X線を反射する第一の多層膜反射層と、中間層と、所定の波長の軟X線を反射する第二の多層膜反射層とを順次積層してなり、該中間層は、パターンの明部では該第一及び第二の多層膜反射層間の干渉を強め合う光路長に相当する厚さを有し、パターンの暗部では該第一及び第二の多層膜反射層間の干渉を打ち消し合う光路長に相当する厚さを有することを特徴とする反射マスク。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521

FI (6件)：

G03F 1/16 A ,  G03F 1/16 G ,  G03F 7/20 503 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (13件)：

2H095BA10 ,  2H095BC11 ,  2H095BC14 ,  2H095BD04 ,  2H095BD32 ,  2H095BD33 ,  2H097CA15 ,  2H097GB02 ,  2H097JA02 ,  2H097LA10 ,  5F046AA25 ,  5F046GD10 ,  5F046GD11