特許

J-GLOBAL ID：200903026102014167

半導体レ-ザ素子

発明者： 八谷 光芳
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-097786
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266346
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 安定したアッセンブリが可能かつ、信頼性の高い構造を有する半導体素子を提供する。【解決手段】 第1導電型基板2と、第1導電型クラッド層4と、活性層5と、第2導電型第1クラッド層6とを順次積層すると共に、第1の幅l1 を有する前記第2導電型第2クラッド層8を狭窄して一対の第1導電型狭窄層9、9を前記活性層5から出射するレ-ザの出射方向にストライプ状の窓部分12を挟んで前記第2導電型第1クラッド層6上に配置し、前記第1導電型狭窄層9、9及び前記第2導電型第2クラッド層8上に第2導電型コンタクト層10を配置した半導体レ-ザ素子であって、前記第2導電型コンタクト層10の上端中央部であって、かつレ-ザ出射方向にストライプ状の凹部10aを有している。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板と、第1導電型クラッド層と、活性層と、第2導電型第1クラッド層とを順次積層すると共に、第1の幅を有する前記第2導電型第2クラッド層を狭窄して一対の第1導電型狭窄層を、前記活性層から出射するレ-ザの出射方向にストライプ状の窓部分を挟んで前記第2導電型第1クラッド層上に配置し、前記第1導電型狭窄層及び前記第2導電型第2クラッド層上に第2導電型コンタクト層を配置した半導体レ-ザ素子であって、前記第2導電型コンタクト層の上端中央部であって、かつレ-ザ出射方向にストライプ状の凹部を設けたことを特徴とする半導体レ-ザ素子。