特許

J-GLOBAL ID：200903026103601600

X線分析方法および装置

発明者： 須藤 敬己 ,  久禮 得男 ,  二宮 健 ,  黒田 勝広 ,  西田 高 ,  戸所 秀男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091034
公開番号（公開出願番号）：特開平7-294460
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は表面分析技術に係り、特に、試料表面上の残膜の分析に適したX線分析方法および装置を提供する。【構成】 電子線照射により試料表面より発生したX線を、電子レンズ間に設けたエネルギー分析が可能な検出器を用いて、電子線の近軸方向から観測する。【効果】 本発明によれば、電子線照射により発生したX線を電子線の近軸方向から観測できるため、起伏の大きな試料に対しても残膜の高精度な定性、定量分析が可能である。さらに、非破壊分析であるため、分析後の試料を製造プロセスに戻すことができる。

請求項（抜粋）：

X線分析すべき微細孔の直径もしくは一辺の長さを2a、深さをdとした場合、tan(a/d)=θで定まる角度をθとすると、試料表面に加速、集束した電子線を照射し、電子線照射により発生したX線を電子線の中心軸からθの範囲内で定義される領域内で観測する分析方法において、対物レンズ内部もしくはコンデンサレンズ内部、もしくは対物レンズとコンデンサレンズの間にX線検出器を設けて試料表面の残膜の定性、定量分析を行うX線分析方法。