特許
J-GLOBAL ID：200903026106729683
透明電極基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013635
公開番号（公開出願番号）：特開平8-201791
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 耐久性に優れ、表示パネル等での表示性能に優れたプラスチックフィルムを基板とした透明電極基板を提供することを目的とする。【構成】 プラスチックフィルムの片面または両面に、ガスバリア層をアンカーコート層を介して積層し、更にその積層体の片面または両面に保護層を積層した積層基板を用い、その最表面の片面または両面に透明導電層を設けた透明電極基板において、該透明導電層は錫をインジウム/錫の重量比で95/5〜85/15含有する非結晶性のインジウム酸化物からなり、膜厚が20から200nmの範囲にある透明導電層であり、該プラスチックフィルムはリターデーション値が20nm以下で遅相軸のばらつきが±15度以内の光学等方性を有し、厚さが70〜200μmのプラスチックフィルムであり、前記積層基板の透明導電層を設ける面の表面粗さが中心線平均粗さRaで40nm以下であることを特徴とする透明電極基板である。
請求項（抜粋）：
プラスチックフィルムの片面または両面に、ガスバリア層をアンカーコート層を介して積層し、更にその積層体の片面または両面に保護層を積層した積層基板を用い、その最表面の片面または両面に透明導電層を設けた透明電極基板において、該透明導電層は錫をインジウム/錫の重量比で95/5〜85/15含有する非結晶性のインジウム酸化物からなり、膜厚が20から200nmの範囲にある透明導電層であり、該プラスチックフィルムはリターデーション値が20nm以下で遅相軸のばらつきが±15度以内の光学等方性を有し、厚さが70〜200μmのプラスチックフィルムであり、前記積層基板の透明導電層を設ける面の表面粗さが中心線平均粗さRaで40nm以下であることを特徴とする透明電極基板。
IPC (4件)：
G02F 1/1333 500
, B32B 9/00
, B32B 27/06
, G02F 1/1343
