特許
J-GLOBAL ID:200903026110748994

プラズマエッチング用電極板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 富田 和夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-190995
公開番号(公開出願番号):特開平8-037179
出願日: 1994年07月21日
公開日(公表日): 1996年02月06日
要約:
【要約】【目的】 使用寿命の長いプラズマエッチング用電極板を提供する。【構成】 P,As,Sb,Bのうちのいずれか1種のドーパントを0.01ppm 以上5重量%以下含有した単結晶シリコンからなる電極板。
請求項(抜粋):
厚さ方向に平行に貫通細孔が設けられている平板状単結晶シリコン板からなるプラズマエッチング用電極板において、上記単結晶シリコンは、P,As,Sb,Bのうちのいずれか1種のドーパントを0.01ppm 以上5重量%以下を含有していることを特徴とするプラズマエッチング用電極板。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平4-073936

前のページに戻る