特許
J-GLOBAL ID：200903026111989464
低熱膨張平角導体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-371988
公開番号（公開出願番号）：特開2004-204256
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】熱膨張が小さく、耐食性に優れた低熱膨張コア導体を提供する。【解決手段】低熱膨張平角導体1は、断面形状が平角形を成したコア導体2と、このコア導体2の外表面に形成される被覆導体3を備えて構成される。コア導体2は、シリコンウェハの熱膨張係数と同等以下の10×10-6/°C以下の熱膨張係数を有する。被覆導体3は5.0μΩ・cm以下の体積抵抗率を有するために導電性の低下が防止されることにより太陽電池の効率低下が防止され、更に、コア導体2に被覆されることにより、水分に起因してコア導体2の表面に局部電池が発生するのを防止することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
10×10-6/°C以下の熱膨張係数を有し、断面形状が平角形を成したコア導体と、
5.0μΩ・cm以下の体積抵抗率を有し、前記コア導体の外表面に形成される被覆導体とを備えることを特徴とする低熱膨張平角導体。
IPC (3件)：
C23C30/00
, H01B5/02
, H01L23/48
C23C30/00 B
, H01B5/02 A
, H01L23/48 F
4K044AA02
, 4K044BA08
, 4K044BA10
, 4K044BB02
, 4K044BB03
, 4K044BC11
, 4K044BC14
, 4K044CA18
, 5G307BA07
, 5G307BB04
, 5G307BB05
, 5G307BC00
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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