特許

J-GLOBAL ID：200903026112558505

選択的化学機械研磨方法

発明者： マイケル ジー リー ,  ソロモン アイ ベイリン
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-001124
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208456
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、化学機械研磨(CMP)プレーナー化処理の選択性を実質的に増加させる方法の提供を目的とする。【解決手段】 CMP処理は研磨用スラリー粒子の局部濃度の空間的変動を制御する。プレーナー化の挙動は、研磨処理の選択性を高めるため、隆起形状と接触した研磨用スラリー粒子の相対濃度を増加させることによって改良される。追加スラリー阻止層は陥没領域のスラリー粒子の接触を阻止するため使用される。また、電気泳動効果がウェーハ表面上の研磨用スラリー粒子の空間分布を変更するため使用される。

請求項（抜粋）：

化学機械研磨処理を用いてサンプルを平坦化する方法であって、スラリー阻止層を上記サンプルの上に被覆する工程と、液体及び研磨用粒子を含む化学機械研磨用スラリーを研磨用パッドに施与し、上記研磨用パッドで上記サンプルを研磨する第1の研磨工程と、上記サンプルが実質的に平坦になるまで上記サンプルを研磨する第2の研磨工程とを有し、上記スラリー阻止層は、上記第2の研磨工程中に上記サンプルの陥没領域内の上記化学機械研磨スラリーから上記研磨用粒子の濃度を実質的に減少させる、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 T ,  H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 K