特許
J-GLOBAL ID：200903026116685846

光磁気記録媒体

発明者：
玉野井 健

玉野井 健 について

, 
武藤 良弘

武藤 良弘 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

, 
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-034555
公開番号（公開出願番号）：特開2002-304787
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】【課題】 高密度記録再生が可能な光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】 再生層14はGdFeCo膜であり、室温での飽和磁化の値は8〜100 emu/ccである。中間層15は(GdFeCo)Si膜であり、室温での飽和磁化の値は140 〜250 emu/ccであり、キュリー温度まで補償温度が見られないREリッチの面内磁化膜である。記録層16はTbFeCo膜であり、室温での飽和磁化の値は50〜150 emu/ccである。このような飽和磁化を有する磁性膜を順次成膜し、得られた光磁気ディスク1のジッタの記録パワーマージンは、±11%と十分な値を示した。
請求項（抜粋）：
少なくとも再生層、中間層及び記録層を積層した磁性積層膜を有し、前記再生層及び記録層は積層方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、前記中間層は室温で面内方向の磁化容易特性を有する磁性膜であり、再生レーザ光の照射による光磁気信号の読出しが可能な光磁気記録媒体において、前記再生層,中間層及び記録層は、室温で夫々、8emu/cc〜100 emu/cc,140emu/cc〜250 emu/cc及び50emu/cc〜150 emu/ccの飽和磁化を有し、前記レーザ光の照射により生じる低温領域では前記中間層及び記録層の飽和磁化によりマスクが形成され、前記レーザ光の照射により生じる高温領域では前記再生層の飽和磁化によりマスクが形成される構成としたことを特徴とする光磁気記録媒体。
IPC (6件)：
G11B 11/105 516 ,  G11B 11/105 506 ,  G11B 11/105 ,  G11B 11/105 511 ,  G11B 11/105 521 ,  G11B 11/105 531
FI (8件)：
G11B 11/105 516 G ,  G11B 11/105 506 A ,  G11B 11/105 506 C ,  G11B 11/105 511 G ,  G11B 11/105 511 Q ,  G11B 11/105 521 F ,  G11B 11/105 531 E ,  G11B 11/105 531 V
Fターム (8件)：
5D075EE03 ,  5D075FF04 ,  5D075FF11 ,  5D075FF13 ,  5D075FG02 ,  5D075FG04 ,  5D075FG18 ,  5D075FH02
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM