特許
J-GLOBAL ID：200903026117803389
非共鳴ファブリ・ペローPIN変調装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-023429
公開番号（公開出願番号）：特開平8-262380
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 能動及び受動の両方のモードロック状態を実現する光学装置を提供することである。【構成】 本発明によれば、P-i-n変調器をファブリ・ペローエタロン内の非共鳴点(antiresonance)に配置することによって単一の装置内に能動及び受動のモードロック技法の両方の利点を実現することができる。このp-i-n変調器は、変調器へ印加される電圧の変化に応じて、周期的に損失を導入することにより、レーザーキャビティー内の光を能動的に変調する。P-i-n変調器は、真性領域を持ち、これはp形ドープ領域とn型ドープ領域の間に置かれている。P-i-n変調器のモードロック性能は、この真性領域の可飽和吸収体作用によって向上されている。
請求項（抜粋）：
共鳴条件にそれぞれ対応している複数の光学周波数を持つファブリ・ペローエタロンを形成するように、離間して配置された第一の反射素子(2)および第二の反射素子(3)と、所定の光学周波数において、印加電圧により変化する非線形光学吸収特性を有し、前記の第一および第二の反射素子の間に設けられた半導体材料部(4)と、からなる光学装置において、前記の所定の光学周波数は、前記ファブリ・ペローエタロンの非共鳴(anti-resonant)条件に相当する光学周波数であるよう、前記の所定の光学周波数が前記複数の光学周波数のうちの隣接する二つの光学周波数の間にあり、前記半導体材料部が、p形ドープ領域(64)と、真性領域(66)と、n形ドープ領域(72)とを有するp-i-n変調器からなり、前記真性領域が、前記p形ドープ領域とn形ドープ領域との間に配置されていることを特徴とする非共鳴ファブリ・ペローPIN変調装置。
IPC (2件)：
G02F 1/015 505
, H01S 3/098
G02F 1/015 505
, H01S 3/098
